絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。

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  • 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。 (ja)
  • 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。 (ja)
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