二次イオン質量分析法（にじイオンしつりょうぶんせきほう、英: Secondary Ion Mass Spectrometry、略称：SIMS）とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。特に固体の表面にビーム状のイオン（と呼ばれる）を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン（と呼ばれる）を質量分析計で検出するである。
二次イオン質量分析法（にじイオンしつりょうぶんせきほう、英: Secondary Ion Mass Spectrometry、略称：SIMS）とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。特に固体の表面にビーム状のイオン（と呼ばれる）を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン（と呼ばれる）を質量分析計で検出するである。 (ja)
二次イオン質量分析法（にじイオンしつりょうぶんせきほう、英: Secondary Ion Mass Spectrometry、略称：SIMS）とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。特に固体の表面にビーム状のイオン（と呼ばれる）を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン（と呼ばれる）を質量分析計で検出するである。 (ja)
二次イオン質量分析法（にじイオンしつりょうぶんせきほう、英: Secondary Ion Mass Spectrometry、略称：SIMS）とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。特に固体の表面にビーム状のイオン（と呼ばれる）を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン（と呼ばれる）を質量分析計で検出するである。 (ja)
二次イオン質量分析法（にじイオンしつりょうぶんせきほう、英: Secondary Ion Mass Spectrometry、略称：SIMS）とは、質量分析法におけるイオン化方法の種類の一つである。特に固体の表面にビーム状のイオン（と呼ばれる）を照射し、そのイオンと固体表面の分子・原子レベルでの衝突によって発生するイオン（と呼ばれる）を質量分析計で検出するである。 (ja)
