スピン注入メモリ(スピンちゅうにゅうメモリ、英: Spin Transfer Torque Random Access Memory)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAMまたはST-MRAMとも呼ばれる。 なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。
スピン注入メモリ(スピンちゅうにゅうメモリ、英: Spin Transfer Torque Random Access Memory)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAMまたはST-MRAMとも呼ばれる。 なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。 (ja)
スピン注入メモリ(スピンちゅうにゅうメモリ、英: Spin Transfer Torque Random Access Memory)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAMまたはST-MRAMとも呼ばれる。 なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。 (ja)
スピン注入メモリ(スピンちゅうにゅうメモリ、英: Spin Transfer Torque Random Access Memory)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAMまたはST-MRAMとも呼ばれる。 なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。 (ja)
スピン注入メモリ(スピンちゅうにゅうメモリ、英: Spin Transfer Torque Random Access Memory)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAMまたはST-MRAMとも呼ばれる。 なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。 (ja)
