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Namespace Prefixes

PrefixIRI
dcthttp://purl.org/dc/terms/
template-enhttp://ja.dbpedia.org/resource/Template:
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-wikidatahttp://wikidata.dbpedia.org/resource/
n12https://books.google.com/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n9http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
n10http://ja.dbpedia.org/resource/Category:
n7http://ja.wikipedia.org/wiki/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n14http://ja.dbpedia.org/resource/ファイル:
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/
prop-enhttp://ja.dbpedia.org/property/

Statements

Subject Item
dbpedia-ja:半導体デバイス製造
dbo:wikiPageWikiLink
dbpedia-ja:基板工程
Subject Item
dbpedia-ja:基板工程
rdfs:label
基板工程
rdfs:comment
基板工程またはフロントエンド（front-end-of-line、FEOL）とは半導体デバイス製造の最初の部分である。基板工程では、それぞれのデバイス（トランジスタ、キャパシタ、抵抗など）が半導体にパターンとして形成される。 1. * 使用するウェハーのタイプを選択する。ウェハーを化学機械研磨、洗浄する。 2. * 素子分離（LOCOSやシャロートレンチアイソレーション） 3. * 形成 4. * ゲート形成(ゲート絶縁膜、金属ゲート電極) 5. * サイドウォールスペーサー形成 6. * ソース・ドレイン形成 7. * キャパシタ形成（DRAM、FeRAMの場合）
dct:subject
n10:半導体製造
dbo:wikiPageID
3757802
dbo:wikiPageRevisionID
92277602
dbo:wikiPageWikiLink
dbpedia-ja:金属ゲート dbpedia-ja:ウェル dbpedia-ja:抵抗器 dbpedia-ja:トランジスタ n10:半導体製造 dbpedia-ja:シャロートレンチアイソレーション dbpedia-ja:半導体 dbpedia-ja:DRAM dbpedia-ja:ゲート絶縁膜 dbpedia-ja:半導体デバイス製造 n14:CMOS_fabrication_process.svg dbpedia-ja:ウェハー dbpedia-ja:電界効果トランジスタ dbpedia-ja:FeRAM n14:Cmos-chip_structure_in_2000s_(en).svg dbpedia-ja:化学機械研磨 dbpedia-ja:配線工程 dbpedia-ja:LOCOS dbpedia-ja:キャパシタ dbpedia-ja:集積回路
dbo:wikiPageExternalLink
n12:books%3Fid=kxYhNrOKuJQC&pg=PA177&dq=FEOL
prop-en:wikiPageUsesTemplate
template-en:Reflist template-en:ISBN2
foaf:depiction
n9:CMOS_fabrication_process.svg n9:Cmos-chip_structure_in_2000s_(en).svg
dbo:thumbnail
n9:Cmos-chip_structure_in_2000s_(en).svg?width=300
dbo:abstract
基板工程またはフロントエンド（front-end-of-line、FEOL）とは半導体デバイス製造の最初の部分である。基板工程では、それぞれのデバイス（トランジスタ、キャパシタ、抵抗など）が半導体にパターンとして形成される。 1. * 使用するウェハーのタイプを選択する。ウェハーを化学機械研磨、洗浄する。 2. * 素子分離（LOCOSやシャロートレンチアイソレーション） 3. * 形成 4. * ゲート形成(ゲート絶縁膜、金属ゲート電極) 5. * サイドウォールスペーサー形成 6. * ソース・ドレイン形成 7. * キャパシタ形成（DRAM、FeRAMの場合）
dbo:wikiPageLength
1201
prov:wasDerivedFrom
n7:基板工程?oldid=92277602&ns=0
foaf:isPrimaryTopicOf
n7:基板工程
Subject Item
dbpedia-ja:配線工程
dbo:wikiPageWikiLink
dbpedia-ja:基板工程
Subject Item
dbpedia-wikidata:Q5505856
owl:sameAs
dbpedia-ja:基板工程
Subject Item
dbpedia-ja:FEOL
dbo:wikiPageWikiLink
dbpedia-ja:基板工程
dbo:wikiPageRedirects
dbpedia-ja:基板工程
Subject Item
n7:基板工程
foaf:primaryTopic
dbpedia-ja:基板工程