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About: RCA洗浄

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半導体製造におけるRCA洗浄とは、シリコンウェハーの標準的な洗浄方法で、高温プロセス（酸化、拡散、化学気相成長）の前に行われる。 RCA社のWerner Kernが1965年に基本的なプロセスを開発した。RCA洗浄は次の化学プロセスをこの順で行う。 1. * 有機物汚染とパーティクル汚染の除去 2. * 酸化物層の除去 3. * イオン汚染の除去

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  • 半導体製造におけるRCA洗浄とは、シリコンウェハーの標準的な洗浄方法で、高温プロセス（酸化、拡散、化学気相成長）の前に行われる。 RCA社のWerner Kernが1965年に基本的なプロセスを開発した。RCA洗浄は次の化学プロセスをこの順で行う。 1. * 有機物汚染とパーティクル汚染の除去 2. * 酸化物層の除去 3. * イオン汚染の除去 (ja)
  • 半導体製造におけるRCA洗浄とは、シリコンウェハーの標準的な洗浄方法で、高温プロセス（酸化、拡散、化学気相成長）の前に行われる。 RCA社のWerner Kernが1965年に基本的なプロセスを開発した。RCA洗浄は次の化学プロセスをこの順で行う。 1. * 有機物汚染とパーティクル汚染の除去 2. * 酸化物層の除去 3. * イオン汚染の除去 (ja)
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  • 半導体製造におけるRCA洗浄とは、シリコンウェハーの標準的な洗浄方法で、高温プロセス（酸化、拡散、化学気相成長）の前に行われる。 RCA社のWerner Kernが1965年に基本的なプロセスを開発した。RCA洗浄は次の化学プロセスをこの順で行う。 1. * 有機物汚染とパーティクル汚染の除去 2. * 酸化物層の除去 3. * イオン汚染の除去 (ja)
  • 半導体製造におけるRCA洗浄とは、シリコンウェハーの標準的な洗浄方法で、高温プロセス（酸化、拡散、化学気相成長）の前に行われる。 RCA社のWerner Kernが1965年に基本的なプロセスを開発した。RCA洗浄は次の化学プロセスをこの順で行う。 1. * 有機物汚染とパーティクル汚染の除去 2. * 酸化物層の除去 3. * イオン汚染の除去 (ja)
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  • RCA洗浄 (ja)
  • RCA洗浄 (ja)
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