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- 量子ホール効果(りょうしホールこうか、英: quantum Hall effect)は、半導体‐絶縁体界面や半導体のヘテロ接合などで実現される、2次元電子系に対し強い磁場(強磁場)を印加すると、電子の軌道運動が量子化され、エネルギー準位が離散的な値に縮退し、ランダウ準位が形成される現象を指す。ランダウ準位の状態密度は実際の試料では不純物の影響によってある程度の広がりを持つ。この時、フェルミ準位の下の電子は、波動関数が空間的に局在するようになる。これをアンダーソン局在という。 そして絶対温度がゼロ度(T = 0 K)の時、この量子化された2次元電子系のホール伝導率の x - y 成分 σxy は、 となる。ここで、n は整数、e は電子の素電荷、h はプランク定数である。つまり、ホール伝導率が e2/h の整数倍になる。これを整数量子ホール効果と言う。 (ja)
- 量子ホール効果(りょうしホールこうか、英: quantum Hall effect)は、半導体‐絶縁体界面や半導体のヘテロ接合などで実現される、2次元電子系に対し強い磁場(強磁場)を印加すると、電子の軌道運動が量子化され、エネルギー準位が離散的な値に縮退し、ランダウ準位が形成される現象を指す。ランダウ準位の状態密度は実際の試料では不純物の影響によってある程度の広がりを持つ。この時、フェルミ準位の下の電子は、波動関数が空間的に局在するようになる。これをアンダーソン局在という。 そして絶対温度がゼロ度(T = 0 K)の時、この量子化された2次元電子系のホール伝導率の x - y 成分 σxy は、 となる。ここで、n は整数、e は電子の素電荷、h はプランク定数である。つまり、ホール伝導率が e2/h の整数倍になる。これを整数量子ホール効果と言う。 (ja)
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- フォン・クリッツィング定数 (ja)
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- 量子ホール効果(りょうしホールこうか、英: quantum Hall effect)は、半導体‐絶縁体界面や半導体のヘテロ接合などで実現される、2次元電子系に対し強い磁場(強磁場)を印加すると、電子の軌道運動が量子化され、エネルギー準位が離散的な値に縮退し、ランダウ準位が形成される現象を指す。ランダウ準位の状態密度は実際の試料では不純物の影響によってある程度の広がりを持つ。この時、フェルミ準位の下の電子は、波動関数が空間的に局在するようになる。これをアンダーソン局在という。 そして絶対温度がゼロ度(T = 0 K)の時、この量子化された2次元電子系のホール伝導率の x - y 成分 σxy は、 となる。ここで、n は整数、e は電子の素電荷、h はプランク定数である。つまり、ホール伝導率が e2/h の整数倍になる。これを整数量子ホール効果と言う。 (ja)
- 量子ホール効果(りょうしホールこうか、英: quantum Hall effect)は、半導体‐絶縁体界面や半導体のヘテロ接合などで実現される、2次元電子系に対し強い磁場(強磁場)を印加すると、電子の軌道運動が量子化され、エネルギー準位が離散的な値に縮退し、ランダウ準位が形成される現象を指す。ランダウ準位の状態密度は実際の試料では不純物の影響によってある程度の広がりを持つ。この時、フェルミ準位の下の電子は、波動関数が空間的に局在するようになる。これをアンダーソン局在という。 そして絶対温度がゼロ度(T = 0 K)の時、この量子化された2次元電子系のホール伝導率の x - y 成分 σxy は、 となる。ここで、n は整数、e は電子の素電荷、h はプランク定数である。つまり、ホール伝導率が e2/h の整数倍になる。これを整数量子ホール効果と言う。 (ja)
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- 量子ホール効果 (ja)
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