熱平衡の場合、自由電子濃度と自由正孔濃度の積は真性キャリア濃度の二乗に等しい。真性キャリア濃度は、温度の関数である。 半導体における質量作法の法則の式は、 で表される。

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  • 熱平衡の場合、自由電子濃度と自由正孔濃度の積は真性キャリア濃度の二乗に等しい。真性キャリア濃度は、温度の関数である。 半導体における質量作法の法則の式は、 で表される。 (ja)
  • 熱平衡の場合、自由電子濃度と自由正孔濃度の積は真性キャリア濃度の二乗に等しい。真性キャリア濃度は、温度の関数である。 半導体における質量作法の法則の式は、 で表される。 (ja)
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  • 熱平衡の場合、自由電子濃度と自由正孔濃度の積は真性キャリア濃度の二乗に等しい。真性キャリア濃度は、温度の関数である。 半導体における質量作法の法則の式は、 で表される。 (ja)
  • 熱平衡の場合、自由電子濃度と自由正孔濃度の積は真性キャリア濃度の二乗に等しい。真性キャリア濃度は、温度の関数である。 半導体における質量作法の法則の式は、 で表される。 (ja)
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  • 質量作用の法則 (半導体) (ja)
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