| Property |
Value |
| dbo:abstract
|
- 窒化スカンジウム(Scandium nitride)は、III-V間接遷移半導体である。スカンジウム陽イオンと窒化物陰イオンから構成される。昇華とにより、タングステンホイル上に結晶を成長させることができる。格子定数0.451 nmの岩塩型結晶構造であり、間接遷移が0.9 eV、直接遷移が2-2.4 eVである。これらの結晶は、窒素ガスをインジウム-スカンジウム溶融物に溶解し、マグネトロン、分子線エピタキシー法、やその他の沈殿法により合成することができる。窒化スカンジウムは、二酸化ケイ素または基板上の半導体の効果的なゲートでもある。 (ja)
- 窒化スカンジウム(Scandium nitride)は、III-V間接遷移半導体である。スカンジウム陽イオンと窒化物陰イオンから構成される。昇華とにより、タングステンホイル上に結晶を成長させることができる。格子定数0.451 nmの岩塩型結晶構造であり、間接遷移が0.9 eV、直接遷移が2-2.4 eVである。これらの結晶は、窒素ガスをインジウム-スカンジウム溶融物に溶解し、マグネトロン、分子線エピタキシー法、やその他の沈殿法により合成することができる。窒化スカンジウムは、二酸化ケイ素または基板上の半導体の効果的なゲートでもある。 (ja)
|
| dbo:iupacName
|
- Scandium nitride (ja)
- Scandium nitride (ja)
|
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 3205 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| prop-ja:iupacname
|
- Scandium nitride (ja)
- Scandium nitride (ja)
|
| prop-ja:othernames
|
- Azanylidynescandium (ja)
- Nitridoscandium (ja)
- Azanylidynescandium (ja)
- Nitridoscandium (ja)
|
| prop-ja:wikiPageUsesTemplate
| |
| dct:subject
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- 窒化スカンジウム(Scandium nitride)は、III-V間接遷移半導体である。スカンジウム陽イオンと窒化物陰イオンから構成される。昇華とにより、タングステンホイル上に結晶を成長させることができる。格子定数0.451 nmの岩塩型結晶構造であり、間接遷移が0.9 eV、直接遷移が2-2.4 eVである。これらの結晶は、窒素ガスをインジウム-スカンジウム溶融物に溶解し、マグネトロン、分子線エピタキシー法、やその他の沈殿法により合成することができる。窒化スカンジウムは、二酸化ケイ素または基板上の半導体の効果的なゲートでもある。 (ja)
- 窒化スカンジウム(Scandium nitride)は、III-V間接遷移半導体である。スカンジウム陽イオンと窒化物陰イオンから構成される。昇華とにより、タングステンホイル上に結晶を成長させることができる。格子定数0.451 nmの岩塩型結晶構造であり、間接遷移が0.9 eV、直接遷移が2-2.4 eVである。これらの結晶は、窒素ガスをインジウム-スカンジウム溶融物に溶解し、マグネトロン、分子線エピタキシー法、やその他の沈殿法により合成することができる。窒化スカンジウムは、二酸化ケイ素または基板上の半導体の効果的なゲートでもある。 (ja)
|
| rdfs:label
|
- 窒化スカンジウム (ja)
- 窒化スカンジウム (ja)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| foaf:name
|
- Azanylidynescandium (ja)
- Nitridoscandium (ja)
- Azanylidynescandium (ja)
- Nitridoscandium (ja)
|
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is owl:sameAs
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
