松波 弘之（まつなみ ひろゆき、1939年6月5日 - ）は、日本の工学者。大阪府出身。大阪府立市岡高校および京都大学工学部卒業。京都大学工学部助手、助教授、米国ノースカロライナ州立大学客員准教授、京都大学工学部教授、科学技術振興機構イノベーションプラザ京都 館長を経て、現在は京都大学名誉教授。工学博士（京都大学）。 炭化ケイ素（SiC）という、従来は研磨材や耐熱材料としての利用しかなかった材料の半導体材料としての可能性に早くから注目し、20年以上の試行錯誤の末、SiC 薄膜作製法において、結晶面に適度な傾斜角を導入することによって、結晶成長を制御する方法を見出し、世界で初めて結晶多形混在のない高品質SiCのエピタキシャル成長に成功した。その後、高耐圧・低損失のSiC ショットキーバリアダイオード、高性能SiC電界効果トランジスタを実現し、既存のシリコン半導体では実現できない高性能なパワーデバイスがSiCにより実現できることを世界で初めて実証し、SiCの半導体材料としての地位を確立した。
