About: 基板バイアス効果

基板バイアス効果（きばんバイアスこうか）、あるいは基板効果（きばんこうか）（英:body effect）は、MOSFETにおけるスレッショルド（しきい値）電圧が、バックゲート（基板）の電圧により変動すること。 ドレイン・基板間に形成されるPN接合の逆バイアス電圧を大きくし、接合容量を減らすことによって高速化を図ることにも用いられる。