Property |
Value |
dbo:abstract
|
- 収束電子回折(しゅうそくでんしかいせつ、英: Convergent Beam Electron Diffraction, CBED)とは電子回折における手法の1つで、円錐状に収束させた電子線を試料に照射させ、通常、10 nm 以下の試料領域から回折パターンを得る方法である。 平行ビームを照射することで鋭いスポット状の回折波からなる回折パターンを得る制限視野回折 (Selected area (electron) diffraction、SAD、SAED) とは対照的に、CBEDではディスク状の回折波からなる回折パターンが得られる。 CBEDパターンを解析することでサンプル厚さや格子定数の精密測定、結晶の対称性(点群、空間群)の決定、格子欠陥の同定ができる。 (ja)
- 収束電子回折(しゅうそくでんしかいせつ、英: Convergent Beam Electron Diffraction, CBED)とは電子回折における手法の1つで、円錐状に収束させた電子線を試料に照射させ、通常、10 nm 以下の試料領域から回折パターンを得る方法である。 平行ビームを照射することで鋭いスポット状の回折波からなる回折パターンを得る制限視野回折 (Selected area (electron) diffraction、SAD、SAED) とは対照的に、CBEDではディスク状の回折波からなる回折パターンが得られる。 CBEDパターンを解析することでサンプル厚さや格子定数の精密測定、結晶の対称性(点群、空間群)の決定、格子欠陥の同定ができる。 (ja)
|
dbo:wikiPageExternalLink
| |
dbo:wikiPageID
| |
dbo:wikiPageLength
|
- 998 (xsd:nonNegativeInteger)
|
dbo:wikiPageRevisionID
| |
dbo:wikiPageWikiLink
| |
prop-ja:date
|
- 0001-06-01 (xsd:gMonthDay)
|
prop-ja:section
| |
prop-ja:wikiPageUsesTemplate
| |
prop-ja:出典の明記
|
- 0001-06-01 (xsd:gMonthDay)
|
prop-ja:参照方法
|
- 0001-06-01 (xsd:gMonthDay)
|
prop-ja:孤立
|
- 0001-06-01 (xsd:gMonthDay)
|
dct:subject
| |
rdfs:comment
|
- 収束電子回折(しゅうそくでんしかいせつ、英: Convergent Beam Electron Diffraction, CBED)とは電子回折における手法の1つで、円錐状に収束させた電子線を試料に照射させ、通常、10 nm 以下の試料領域から回折パターンを得る方法である。 平行ビームを照射することで鋭いスポット状の回折波からなる回折パターンを得る制限視野回折 (Selected area (electron) diffraction、SAD、SAED) とは対照的に、CBEDではディスク状の回折波からなる回折パターンが得られる。 CBEDパターンを解析することでサンプル厚さや格子定数の精密測定、結晶の対称性(点群、空間群)の決定、格子欠陥の同定ができる。 (ja)
- 収束電子回折(しゅうそくでんしかいせつ、英: Convergent Beam Electron Diffraction, CBED)とは電子回折における手法の1つで、円錐状に収束させた電子線を試料に照射させ、通常、10 nm 以下の試料領域から回折パターンを得る方法である。 平行ビームを照射することで鋭いスポット状の回折波からなる回折パターンを得る制限視野回折 (Selected area (electron) diffraction、SAD、SAED) とは対照的に、CBEDではディスク状の回折波からなる回折パターンが得られる。 CBEDパターンを解析することでサンプル厚さや格子定数の精密測定、結晶の対称性(点群、空間群)の決定、格子欠陥の同定ができる。 (ja)
|
rdfs:label
| |
prov:wasDerivedFrom
| |
foaf:isPrimaryTopicOf
| |
is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
is owl:sameAs
of | |
is foaf:primaryTopic
of | |