ワイヤレスTSV(Wireless Through-Silicon via)とは、電子部品である半導体の実装に関わる3次元積層技術の1つである。従来のワイヤ・ボンディング技術では接続数に限りがあり数十枚の半導体チップを重ねて1つのパッケージ内に納めることは現実的でないが、ワイヤレスTSV技術では、磁界結合による間接的な接続によってSi貫通電極(TSV)と同様に、3次元的に重ねられたチップの上下間で高速信号を受け渡すことが可能になる。

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  • ワイヤレスTSV(Wireless Through-Silicon via)とは、電子部品である半導体の実装に関わる3次元積層技術の1つである。従来のワイヤ・ボンディング技術では接続数に限りがあり数十枚の半導体チップを重ねて1つのパッケージ内に納めることは現実的でないが、ワイヤレスTSV技術では、磁界結合による間接的な接続によってSi貫通電極(TSV)と同様に、3次元的に重ねられたチップの上下間で高速信号を受け渡すことが可能になる。 (ja)
  • ワイヤレスTSV(Wireless Through-Silicon via)とは、電子部品である半導体の実装に関わる3次元積層技術の1つである。従来のワイヤ・ボンディング技術では接続数に限りがあり数十枚の半導体チップを重ねて1つのパッケージ内に納めることは現実的でないが、ワイヤレスTSV技術では、磁界結合による間接的な接続によってSi貫通電極(TSV)と同様に、3次元的に重ねられたチップの上下間で高速信号を受け渡すことが可能になる。 (ja)
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  • ワイヤレスTSV(Wireless Through-Silicon via)とは、電子部品である半導体の実装に関わる3次元積層技術の1つである。従来のワイヤ・ボンディング技術では接続数に限りがあり数十枚の半導体チップを重ねて1つのパッケージ内に納めることは現実的でないが、ワイヤレスTSV技術では、磁界結合による間接的な接続によってSi貫通電極(TSV)と同様に、3次元的に重ねられたチップの上下間で高速信号を受け渡すことが可能になる。 (ja)
  • ワイヤレスTSV(Wireless Through-Silicon via)とは、電子部品である半導体の実装に関わる3次元積層技術の1つである。従来のワイヤ・ボンディング技術では接続数に限りがあり数十枚の半導体チップを重ねて1つのパッケージ内に納めることは現実的でないが、ワイヤレスTSV技術では、磁界結合による間接的な接続によってSi貫通電極(TSV)と同様に、3次元的に重ねられたチップの上下間で高速信号を受け渡すことが可能になる。 (ja)
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  • ワイヤレスTSV (ja)
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