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- ドナーアクセプタ対熱光(donor-acceptor pair emission) 半導体中で比較的浅い準位を持ったドナー(D)とアクセプター(A)に束縛された電子と正孔が、それぞれの波動関数の重なりを通して、その発光エネルギーと直接的に再結合する際に放出されるルミネセンス、その発光エネルギー、再結合率ともに大きくなる、結合全体のスペクトルは、距離の異なる多くのDA対による離散的なスペクトル構造が観測される事があるが、一般には幅の広い連続的な発光スペクトルとなる。D、Aのいずれかが深い準位を持つ場合には、局在性の強い複合型発光中心となり、浅い場合にはDA対発光とは区別される。 (ja)
- ドナーアクセプタ対熱光(donor-acceptor pair emission) 半導体中で比較的浅い準位を持ったドナー(D)とアクセプター(A)に束縛された電子と正孔が、それぞれの波動関数の重なりを通して、その発光エネルギーと直接的に再結合する際に放出されるルミネセンス、その発光エネルギー、再結合率ともに大きくなる、結合全体のスペクトルは、距離の異なる多くのDA対による離散的なスペクトル構造が観測される事があるが、一般には幅の広い連続的な発光スペクトルとなる。D、Aのいずれかが深い準位を持つ場合には、局在性の強い複合型発光中心となり、浅い場合にはDA対発光とは区別される。 (ja)
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- 0001-04-12 (xsd:gMonthDay)
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- ドナーアクセプタ対発光、ドナーアクセプター対発光 (ja)
- ドナーアクセプタ対発光、ドナーアクセプター対発光 (ja)
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- 0001-04-12 (xsd:gMonthDay)
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- ドナーアクセプタ対熱光(donor-acceptor pair emission) 半導体中で比較的浅い準位を持ったドナー(D)とアクセプター(A)に束縛された電子と正孔が、それぞれの波動関数の重なりを通して、その発光エネルギーと直接的に再結合する際に放出されるルミネセンス、その発光エネルギー、再結合率ともに大きくなる、結合全体のスペクトルは、距離の異なる多くのDA対による離散的なスペクトル構造が観測される事があるが、一般には幅の広い連続的な発光スペクトルとなる。D、Aのいずれかが深い準位を持つ場合には、局在性の強い複合型発光中心となり、浅い場合にはDA対発光とは区別される。 (ja)
- ドナーアクセプタ対熱光(donor-acceptor pair emission) 半導体中で比較的浅い準位を持ったドナー(D)とアクセプター(A)に束縛された電子と正孔が、それぞれの波動関数の重なりを通して、その発光エネルギーと直接的に再結合する際に放出されるルミネセンス、その発光エネルギー、再結合率ともに大きくなる、結合全体のスペクトルは、距離の異なる多くのDA対による離散的なスペクトル構造が観測される事があるが、一般には幅の広い連続的な発光スペクトルとなる。D、Aのいずれかが深い準位を持つ場合には、局在性の強い複合型発光中心となり、浅い場合にはDA対発光とは区別される。 (ja)
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- ドナーアクセプタ対熱光 (ja)
- ドナーアクセプタ対熱光 (ja)
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