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- デバイスシミュレーション英: device simulationは、電界効果トランジスタ等の半導体素子の断面構造もしくは3次元構造を入力し、そのデバイスの動作を確認するシミュレーション。そのシミュレーションを行うシミュレータをデバイスシミュレータと言う。 計算内容は、シミュレータにより異なるが、DC解析や小信号AC解析、ハーモニックバランス法を使用した大信号解析、過渡解析等が可能である。 構造は細かい領域(メッシュと言う)で区切られ、印加電圧や境界条件や使用モデル等の条件の設定が必要である。計算結果は、端子を流れる電流やSパラメータの様な実際に測定において確認できる結果のみでなく、各メッシュ点の電位(ポテンシャル)、電子密度、ホール密度等のパラメータの確認も可能である。 と組み合わせてプロセス条件を変更した場合のデバイス特性がどの様に変化するかを確認するシミュレータの統合も可能で、これをTCADと言う。 (ja)
- デバイスシミュレーション英: device simulationは、電界効果トランジスタ等の半導体素子の断面構造もしくは3次元構造を入力し、そのデバイスの動作を確認するシミュレーション。そのシミュレーションを行うシミュレータをデバイスシミュレータと言う。 計算内容は、シミュレータにより異なるが、DC解析や小信号AC解析、ハーモニックバランス法を使用した大信号解析、過渡解析等が可能である。 構造は細かい領域(メッシュと言う)で区切られ、印加電圧や境界条件や使用モデル等の条件の設定が必要である。計算結果は、端子を流れる電流やSパラメータの様な実際に測定において確認できる結果のみでなく、各メッシュ点の電位(ポテンシャル)、電子密度、ホール密度等のパラメータの確認も可能である。 と組み合わせてプロセス条件を変更した場合のデバイス特性がどの様に変化するかを確認するシミュレータの統合も可能で、これをTCADと言う。 (ja)
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- デバイスシミュレーション英: device simulationは、電界効果トランジスタ等の半導体素子の断面構造もしくは3次元構造を入力し、そのデバイスの動作を確認するシミュレーション。そのシミュレーションを行うシミュレータをデバイスシミュレータと言う。 計算内容は、シミュレータにより異なるが、DC解析や小信号AC解析、ハーモニックバランス法を使用した大信号解析、過渡解析等が可能である。 構造は細かい領域(メッシュと言う)で区切られ、印加電圧や境界条件や使用モデル等の条件の設定が必要である。計算結果は、端子を流れる電流やSパラメータの様な実際に測定において確認できる結果のみでなく、各メッシュ点の電位(ポテンシャル)、電子密度、ホール密度等のパラメータの確認も可能である。 と組み合わせてプロセス条件を変更した場合のデバイス特性がどの様に変化するかを確認するシミュレータの統合も可能で、これをTCADと言う。 (ja)
- デバイスシミュレーション英: device simulationは、電界効果トランジスタ等の半導体素子の断面構造もしくは3次元構造を入力し、そのデバイスの動作を確認するシミュレーション。そのシミュレーションを行うシミュレータをデバイスシミュレータと言う。 計算内容は、シミュレータにより異なるが、DC解析や小信号AC解析、ハーモニックバランス法を使用した大信号解析、過渡解析等が可能である。 構造は細かい領域(メッシュと言う)で区切られ、印加電圧や境界条件や使用モデル等の条件の設定が必要である。計算結果は、端子を流れる電流やSパラメータの様な実際に測定において確認できる結果のみでなく、各メッシュ点の電位(ポテンシャル)、電子密度、ホール密度等のパラメータの確認も可能である。 と組み合わせてプロセス条件を変更した場合のデバイス特性がどの様に変化するかを確認するシミュレータの統合も可能で、これをTCADと言う。 (ja)
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- デバイスシミュレーション (ja)
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