| Property |
Value |
| dbo:abstract
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- U61000 は1989年にCMOS技術を元にしてドイツ民主共和国で製造された初の1MビットのDRAM集積回路である。1986年からVEBドレスデン微小電子工学研究所(ZMD)、VEBカールツアイス・イエナによって開発が開始され、1990年からは量産の為、VEB"Karl Marx" Erfurt(KME)のESO IIIに移管された。 U61000は国際的には511000に順じ、CMOS技術で1.2μmのプロセスルールで製造された18ピン樹脂パッケージ(U61000D)またはセラミックパッケージ(U61000C)がある。 内部は1024K×1ビットでアクセス時間は100 〜120ナノ秒である。メモリーチップは主にロボトロンコンピュータK 1820、K 1840、EC 1835に使用された。 (ja)
- U61000 は1989年にCMOS技術を元にしてドイツ民主共和国で製造された初の1MビットのDRAM集積回路である。1986年からVEBドレスデン微小電子工学研究所(ZMD)、VEBカールツアイス・イエナによって開発が開始され、1990年からは量産の為、VEB"Karl Marx" Erfurt(KME)のESO IIIに移管された。 U61000は国際的には511000に順じ、CMOS技術で1.2μmのプロセスルールで製造された18ピン樹脂パッケージ(U61000D)またはセラミックパッケージ(U61000C)がある。 内部は1024K×1ビットでアクセス時間は100 〜120ナノ秒である。メモリーチップは主にロボトロンコンピュータK 1820、K 1840、EC 1835に使用された。 (ja)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 5937 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| prop-ja:wikiPageUsesTemplate
| |
| dct:subject
| |
| rdfs:comment
|
- U61000 は1989年にCMOS技術を元にしてドイツ民主共和国で製造された初の1MビットのDRAM集積回路である。1986年からVEBドレスデン微小電子工学研究所(ZMD)、VEBカールツアイス・イエナによって開発が開始され、1990年からは量産の為、VEB"Karl Marx" Erfurt(KME)のESO IIIに移管された。 U61000は国際的には511000に順じ、CMOS技術で1.2μmのプロセスルールで製造された18ピン樹脂パッケージ(U61000D)またはセラミックパッケージ(U61000C)がある。 内部は1024K×1ビットでアクセス時間は100 〜120ナノ秒である。メモリーチップは主にロボトロンコンピュータK 1820、K 1840、EC 1835に使用された。 (ja)
- U61000 は1989年にCMOS技術を元にしてドイツ民主共和国で製造された初の1MビットのDRAM集積回路である。1986年からVEBドレスデン微小電子工学研究所(ZMD)、VEBカールツアイス・イエナによって開発が開始され、1990年からは量産の為、VEB"Karl Marx" Erfurt(KME)のESO IIIに移管された。 U61000は国際的には511000に順じ、CMOS技術で1.2μmのプロセスルールで製造された18ピン樹脂パッケージ(U61000D)またはセラミックパッケージ(U61000C)がある。 内部は1024K×1ビットでアクセス時間は100 〜120ナノ秒である。メモリーチップは主にロボトロンコンピュータK 1820、K 1840、EC 1835に使用された。 (ja)
|
| rdfs:label
| |
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is owl:sameAs
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
