プラズマCVD(plasma CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)は、プラズマを援用する型式の化学気相成長(CVD)の一種である。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつである。化学反応を活性化させるため、高周波などを印加することで原料ガスをプラズマ化させるのが特徴である。半導体素子の製造などに広く用いられる。

Property Value
dbo:abstract
  • プラズマCVD(plasma CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)は、プラズマを援用する型式の化学気相成長(CVD)の一種である。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつである。化学反応を活性化させるため、高周波などを印加することで原料ガスをプラズマ化させるのが特徴である。半導体素子の製造などに広く用いられる。 (ja)
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dbo:thumbnail
dbo:wikiPageID
  • 1564229 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength
  • 2135 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 86109920 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink
prop-ja:wikiPageUsesTemplate
dct:subject
rdfs:comment
  • プラズマCVD(plasma CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)は、プラズマを援用する型式の化学気相成長(CVD)の一種である。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつである。化学反応を活性化させるため、高周波などを印加することで原料ガスをプラズマ化させるのが特徴である。半導体素子の製造などに広く用いられる。 (ja)
  • プラズマCVD(plasma CVD, plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)は、プラズマを援用する型式の化学気相成長(CVD)の一種である。さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつである。化学反応を活性化させるため、高周波などを印加することで原料ガスをプラズマ化させるのが特徴である。半導体素子の製造などに広く用いられる。 (ja)
rdfs:label
  • プラズマCVD (ja)
  • プラズマCVD (ja)
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:wikiPageRedirects of
is dbo:wikiPageWikiLink of
is owl:sameAs of
is foaf:primaryTopic of