HTML Microdata document

This HTML5 document contains 70 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

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Statements

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Subject Item: dbpedia-ja:III-V族化合物
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Subject Item: dbpedia-ja:III-V族半導体
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Subject Item: dbpedia-wikidata:Q1135540
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Subject Item: dbpedia-ja:ヘテロ接合_(半導体)
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Subject Item: dbpedia-ja:マイクロLED
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Subject Item: dbpedia-ja:リン化インジウム
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Subject Item: dbpedia-ja:三フッ化ホウ素
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Subject Item: dbpedia-ja:冷水佐壽
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Subject Item: dbpedia-ja:分子線エピタキシー法
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Subject Item: dbpedia-ja:化学に関する記事の一覧
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Subject Item: dbpedia-ja:半導体デバイス製造
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Subject Item: dbpedia-ja:半導体工学
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Subject Item: dbpedia-ja:半絶縁性基板
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Subject Item: dbpedia-ja:単結晶
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Subject Item: dbpedia-ja:原子層堆積
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Subject Item: dbpedia-ja:反射高速電子線回折
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Subject Item: dbpedia-ja:山崎貞一賞
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Subject Item: dbpedia-ja:松波弘之
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Subject Item: dbpedia-ja:格子整合
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Subject Item: dbpedia-ja:歪みシリコン
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Subject Item: dbpedia-ja:結晶成長
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Subject Item: dbpedia-ja:薄膜の成長機構
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Subject Item: dbpedia-ja:赤﨑勇
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Subject Item: dbpedia-ja:阿仁鉱
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Subject Item: dbpedia-ja:高温超伝導
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Subject Item: dbpedia-ja:高電子移動度トランジスタ
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Subject Item: dbpedia-ja:VCSEL
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Subject Item: dbpedia-ja:エピ
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Subject Item: dbpedia-ja:エピタキシャル成長
rdfs:label: エピタキシャル成長
rdfs:comment: エピタキシャル成長（エピタキシャルせいちょう、英語：epitaxial growth）とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、などがある。エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。なお、現在窒化ガリウム（GaN）はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。
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Subject Item: dbpedia-ja:グローバルウェーハズ・ジャパン
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Subject Item: dbpedia-ja:ジョレス・アルフョーロフ
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Subject Item: dbpedia-ja:テルル化水銀
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Subject Item: wikipedia-ja:エピタキシャル成長
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