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- 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは、通常のMOSFETと似た構造を持つ電界効果トランジスタ。FGMOSではゲートが電気的に絶縁されており、直流での浮遊ノードを作る。多くの第2ゲートやインプットが浮遊ゲート(FG)の上に堆積され、電気的に絶縁されている。インプットは、FGに容量結合しているだけである。FGは電気抵抗の大きな物質に完全に囲まれているため、FGに蓄えられている電荷量は長期間変わらない。FG中の電荷量を変更するために、やホットキャリア注入が通常用いられる。 FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、 (ja)
- 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは、通常のMOSFETと似た構造を持つ電界効果トランジスタ。FGMOSではゲートが電気的に絶縁されており、直流での浮遊ノードを作る。多くの第2ゲートやインプットが浮遊ゲート(FG)の上に堆積され、電気的に絶縁されている。インプットは、FGに容量結合しているだけである。FGは電気抵抗の大きな物質に完全に囲まれているため、FGに蓄えられている電荷量は長期間変わらない。FG中の電荷量を変更するために、やホットキャリア注入が通常用いられる。 FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、 (ja)
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- 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは、通常のMOSFETと似た構造を持つ電界効果トランジスタ。FGMOSではゲートが電気的に絶縁されており、直流での浮遊ノードを作る。多くの第2ゲートやインプットが浮遊ゲート(FG)の上に堆積され、電気的に絶縁されている。インプットは、FGに容量結合しているだけである。FGは電気抵抗の大きな物質に完全に囲まれているため、FGに蓄えられている電荷量は長期間変わらない。FG中の電荷量を変更するために、やホットキャリア注入が通常用いられる。 FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、 (ja)
- 浮遊ゲートMOSFET(floating-gate MOSFET、FGMOS) とは、通常のMOSFETと似た構造を持つ電界効果トランジスタ。FGMOSではゲートが電気的に絶縁されており、直流での浮遊ノードを作る。多くの第2ゲートやインプットが浮遊ゲート(FG)の上に堆積され、電気的に絶縁されている。インプットは、FGに容量結合しているだけである。FGは電気抵抗の大きな物質に完全に囲まれているため、FGに蓄えられている電荷量は長期間変わらない。FG中の電荷量を変更するために、やホットキャリア注入が通常用いられる。 FGMOSの応用として、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリでのデジタル記憶素子、ニューラルネットワークでのニューラル計算素子、アナログ記憶素子、、シングルトランジスタD/Aコンバータがある、 (ja)
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- 浮遊ゲートMOSFET (ja)
- 浮遊ゲートMOSFET (ja)
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