About: 抵抗変化型メモリ

ReRAM（英: resistive random access memory）は電圧の印加による電気抵抗の変化を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMはシャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化（、CER効果）を利用しており、 * 電圧で書き換えるため（電流が微量で）消費電力が小さい * 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2（Fは配線の径で、数十nm程）と小さく、高密度化（=低コスト化）が可能 * 電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易 * 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。