ゾーンメルト法(ゾーンメルトほう、英:Zone melting)とは不純物の多い金属のインゴットから純度の高いインゴットを精製するための不純物分離法である。 ゾーン精製法はインゴットの末端に不純物を分離する、あるいは分析などを目的に不純物を濃縮するために利用される。これに対して、ゾーン均一法は不純物を材料に均一に含ませる方法である。トランジスターやダイオード半導体の製造において、ゲルマニウムインゴットはゾーンメルト法によって製造される。次に、少量のアンチモンを融解相に加え、インゴット中を通していく。適切な加熱条件の選択により、アンチモンを均一にゲルマニウムに溶けこませることができる。

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  • ゾーンメルト法(ゾーンメルトほう、英:Zone melting)とは不純物の多い金属のインゴットから純度の高いインゴットを精製するための不純物分離法である。 ゾーン精製法はインゴットの末端に不純物を分離する、あるいは分析などを目的に不純物を濃縮するために利用される。これに対して、ゾーン均一法は不純物を材料に均一に含ませる方法である。トランジスターやダイオード半導体の製造において、ゲルマニウムインゴットはゾーンメルト法によって製造される。次に、少量のアンチモンを融解相に加え、インゴット中を通していく。適切な加熱条件の選択により、アンチモンを均一にゲルマニウムに溶けこませることができる。 (ja)
  • ゾーンメルト法(ゾーンメルトほう、英:Zone melting)とは不純物の多い金属のインゴットから純度の高いインゴットを精製するための不純物分離法である。 ゾーン精製法はインゴットの末端に不純物を分離する、あるいは分析などを目的に不純物を濃縮するために利用される。これに対して、ゾーン均一法は不純物を材料に均一に含ませる方法である。トランジスターやダイオード半導体の製造において、ゲルマニウムインゴットはゾーンメルト法によって製造される。次に、少量のアンチモンを融解相に加え、インゴット中を通していく。適切な加熱条件の選択により、アンチモンを均一にゲルマニウムに溶けこませることができる。 (ja)
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  • ゾーンメルト法(ゾーンメルトほう、英:Zone melting)とは不純物の多い金属のインゴットから純度の高いインゴットを精製するための不純物分離法である。 ゾーン精製法はインゴットの末端に不純物を分離する、あるいは分析などを目的に不純物を濃縮するために利用される。これに対して、ゾーン均一法は不純物を材料に均一に含ませる方法である。トランジスターやダイオード半導体の製造において、ゲルマニウムインゴットはゾーンメルト法によって製造される。次に、少量のアンチモンを融解相に加え、インゴット中を通していく。適切な加熱条件の選択により、アンチモンを均一にゲルマニウムに溶けこませることができる。 (ja)
  • ゾーンメルト法(ゾーンメルトほう、英:Zone melting)とは不純物の多い金属のインゴットから純度の高いインゴットを精製するための不純物分離法である。 ゾーン精製法はインゴットの末端に不純物を分離する、あるいは分析などを目的に不純物を濃縮するために利用される。これに対して、ゾーン均一法は不純物を材料に均一に含ませる方法である。トランジスターやダイオード半導体の製造において、ゲルマニウムインゴットはゾーンメルト法によって製造される。次に、少量のアンチモンを融解相に加え、インゴット中を通していく。適切な加熱条件の選択により、アンチモンを均一にゲルマニウムに溶けこませることができる。 (ja)
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  • ゾーンメルト法 (ja)
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