Property |
Value |
dbo:abstract
|
- 3D XPoint (スリーディークロスポイント)は、2015年7月、インテルとマイクロンによって発表された不揮発性メモリの技術である。同技術を使用した記憶装置製品にインテルは Optane (オプテイン)、マイクロンは QuantX (クアンテックス)と別のブランド名を冠している。 材料や動作原理の詳細については明かされていなかったが、外部企業による検証が行われPCM(相変化メモリ)であることが分かった。ビットの記録はの変化と積層可能な交差格子状の記憶素子の配列の組み合わせで行われる。また、セレクタに (OTS:Ovonic Threshold Switch) を使っていることも大きな特徴と言える。 「3D XPointはDRAMのおよそ半分の価格になるだろうが、NANDフラッシュに比較すれば4・5倍となるだろう」とマイクロンのストレージソリューション担当ヴァイスプレジデントは述べている。インテルの主張によれば同技術を用いた製品をNANDフラッシュと比較した場合、レイテンシは1/10に、書き込み寿命は3倍に、書き込み速度は4倍に、読み込み速度は3倍に改善され、消費電力は30%に軽減される。 2021年にMicron社は、それに引き続き2022年にintel社もこの記述のメモリ製品からの撤退を表明している。 (ja)
- 3D XPoint (スリーディークロスポイント)は、2015年7月、インテルとマイクロンによって発表された不揮発性メモリの技術である。同技術を使用した記憶装置製品にインテルは Optane (オプテイン)、マイクロンは QuantX (クアンテックス)と別のブランド名を冠している。 材料や動作原理の詳細については明かされていなかったが、外部企業による検証が行われPCM(相変化メモリ)であることが分かった。ビットの記録はの変化と積層可能な交差格子状の記憶素子の配列の組み合わせで行われる。また、セレクタに (OTS:Ovonic Threshold Switch) を使っていることも大きな特徴と言える。 「3D XPointはDRAMのおよそ半分の価格になるだろうが、NANDフラッシュに比較すれば4・5倍となるだろう」とマイクロンのストレージソリューション担当ヴァイスプレジデントは述べている。インテルの主張によれば同技術を用いた製品をNANDフラッシュと比較した場合、レイテンシは1/10に、書き込み寿命は3倍に、書き込み速度は4倍に、読み込み速度は3倍に改善され、消費電力は30%に軽減される。 2021年にMicron社は、それに引き続き2022年にintel社もこの記述のメモリ製品からの撤退を表明している。 (ja)
|
dbo:thumbnail
| |
dbo:wikiPageExternalLink
| |
dbo:wikiPageID
| |
dbo:wikiPageLength
|
- 9787 (xsd:nonNegativeInteger)
|
dbo:wikiPageRevisionID
| |
dbo:wikiPageWikiLink
| |
prop-ja:wikiPageUsesTemplate
| |
dct:subject
| |
rdfs:comment
|
- 3D XPoint (スリーディークロスポイント)は、2015年7月、インテルとマイクロンによって発表された不揮発性メモリの技術である。同技術を使用した記憶装置製品にインテルは Optane (オプテイン)、マイクロンは QuantX (クアンテックス)と別のブランド名を冠している。 材料や動作原理の詳細については明かされていなかったが、外部企業による検証が行われPCM(相変化メモリ)であることが分かった。ビットの記録はの変化と積層可能な交差格子状の記憶素子の配列の組み合わせで行われる。また、セレクタに (OTS:Ovonic Threshold Switch) を使っていることも大きな特徴と言える。 「3D XPointはDRAMのおよそ半分の価格になるだろうが、NANDフラッシュに比較すれば4・5倍となるだろう」とマイクロンのストレージソリューション担当ヴァイスプレジデントは述べている。インテルの主張によれば同技術を用いた製品をNANDフラッシュと比較した場合、レイテンシは1/10に、書き込み寿命は3倍に、書き込み速度は4倍に、読み込み速度は3倍に改善され、消費電力は30%に軽減される。 2021年にMicron社は、それに引き続き2022年にintel社もこの記述のメモリ製品からの撤退を表明している。 (ja)
- 3D XPoint (スリーディークロスポイント)は、2015年7月、インテルとマイクロンによって発表された不揮発性メモリの技術である。同技術を使用した記憶装置製品にインテルは Optane (オプテイン)、マイクロンは QuantX (クアンテックス)と別のブランド名を冠している。 材料や動作原理の詳細については明かされていなかったが、外部企業による検証が行われPCM(相変化メモリ)であることが分かった。ビットの記録はの変化と積層可能な交差格子状の記憶素子の配列の組み合わせで行われる。また、セレクタに (OTS:Ovonic Threshold Switch) を使っていることも大きな特徴と言える。 「3D XPointはDRAMのおよそ半分の価格になるだろうが、NANDフラッシュに比較すれば4・5倍となるだろう」とマイクロンのストレージソリューション担当ヴァイスプレジデントは述べている。インテルの主張によれば同技術を用いた製品をNANDフラッシュと比較した場合、レイテンシは1/10に、書き込み寿命は3倍に、書き込み速度は4倍に、読み込み速度は3倍に改善され、消費電力は30%に軽減される。 2021年にMicron社は、それに引き続き2022年にintel社もこの記述のメモリ製品からの撤退を表明している。 (ja)
|
rdfs:label
|
- 3D XPoint (ja)
- 3D XPoint (ja)
|
prov:wasDerivedFrom
| |
foaf:depiction
| |
foaf:isPrimaryTopicOf
| |
is dbo:wikiPageRedirects
of | |
is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
is owl:sameAs
of | |
is foaf:primaryTopic
of | |