| Property |
Value |
| dbo:abstract
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- ラピッドサーマルプロセス（英: rapid thermal processing、RTP）とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温（1,000 °C以上）に加熱する半導体製造プロセスのこと。しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。このプロセスは、熱酸化、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。 (ja)
- ラピッドサーマルプロセス（英: rapid thermal processing、RTP）とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温（1,000 °C以上）に加熱する半導体製造プロセスのこと。しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。このプロセスは、熱酸化、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。 (ja)
|
| dbo:wikiPageExternalLink
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 1541 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| prop-ja:wikiPageUsesTemplate
| |
| dct:subject
| |
| rdfs:comment
|
- ラピッドサーマルプロセス（英: rapid thermal processing、RTP）とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温（1,000 °C以上）に加熱する半導体製造プロセスのこと。しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。このプロセスは、熱酸化、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。 (ja)
- ラピッドサーマルプロセス（英: rapid thermal processing、RTP）とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温（1,000 °C以上）に加熱する半導体製造プロセスのこと。しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。このプロセスは、熱酸化、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。 (ja)
|
| rdfs:label
|
- ラピッドサーマルプロセス (ja)
- ラピッドサーマルプロセス (ja)
|
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is owl:sameAs
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
