ラピッドサーマルプロセス(英: rapid thermal processing、RTP)とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温(1,000 °C以上)に加熱する半導体製造プロセスのこと。しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。このプロセスは、熱酸化、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。

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  • ラピッドサーマルプロセス(英: rapid thermal processing、RTP)とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温(1,000 °C以上)に加熱する半導体製造プロセスのこと。しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。このプロセスは、熱酸化、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。 (ja)
  • ラピッドサーマルプロセス(英: rapid thermal processing、RTP)とは、シリコンウェハーを数秒あるいはそれ以下の時間スケールで高温(1,000 °C以上)に加熱する半導体製造プロセスのこと。しかし熱衝撃による転移やウェハー破壊を防ぐため、冷却ではウェハー温度をゆっくりと下げる。このような高速な加熱速度は、高強度のランプやレーザーによって行われる。このプロセスは、熱酸化、メタルリフロー、化学気相成長など、半導体製造における様々な応用に用いられる。 (ja)
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  • ラピッドサーマルプロセス (ja)
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