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  • 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、MOSFETをゲート部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。
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  • 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、Insulated Gate Bipolar Transistor、IGBT)は半導体素子のひとつで、MOSFETをゲート部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。
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  • 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
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