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  • ゲート絶縁膜(ゲートぜつえんまく)とは、電界効果トランジスタ (FET) において、ゲートとチャネルの間に存在する絶縁膜。Si基板を用いたFETでは、基板材料であるシリコンを酸化した熱酸化シリコンを主に用いている。TFTなどにおいては、ガラスの融点の関係上熱酸化はできず、プラズマを用いた化学気相成長(プラズマCVD)などで成膜がなされる。
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  • ゲート絶縁膜(ゲートぜつえんまく)とは、電界効果トランジスタ (FET) において、ゲートとチャネルの間に存在する絶縁膜。Si基板を用いたFETでは、基板材料であるシリコンを酸化した熱酸化シリコンを主に用いている。TFTなどにおいては、ガラスの融点の関係上熱酸化はできず、プラズマを用いた化学気相成長(プラズマCVD)などで成膜がなされる。
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  • ゲート絶縁膜
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